Першенков Вячеслав Сергеевич (род. 19.09.1940, с. Октябрьское Октябрьского р-на Оренбургской обл.). 

Окончил МИФИ в 1963. Стал кандидатом технических наук в 1968. Позже, в 1971 году, Старший научный сотрудник. Доцент (1977). В 1988 защитил докторскую диссертацию (д.т.н.). Профессор (1991).

Назначен зав. кафедрой микро- и наноэлектроники ( 1977). С недавнего времени является деканом факультета автоматики и электроники МИФИ (с 2007).

Специалист в области физики полупроводниковых приборов и радиационной стойкости микроэлектронных структур. 

Читает лекции по курсам «Основы транзисторной техники», «Физика твердого тела и полупроводников», «Физические основы микроэлектроники», «Физика электронных приборов» (с 1973 по 1978 читал этот курс на англ. языке), «Физика микроэлектронных структур».

Под его руководством защищено 8 кандидатских диссертаций.

Автор более 200 научных статей, 1 монографии, более 15 учебно-методических работ, соавтор учебного пособия «Основы микроэлектроники». Имеет 12 авторских свидетельств на изобретения, в т.ч. патент США.

Участник ведущих отечественных и международных конференций: NSPEC (THE NUCLEAR AND SPACE RADIATION EFFECTS CONFERENCE – http://www.nsrec.com/), RADECS (IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference http://www.radecs2015.org/) по ядерным и космическим радиационным эффектам в микроэлектронных компонентах. Признанный специалист мирового уровня в этой области. Член редсовета международного журнала «Microelectronics Reliability».

Награжден 1 серебряной и 2 бронзовыми медалями ВДНХ. Ветеран атомной энергетики и промышленности.

По материалам биографической энциклопедии «Электроника России» (2009 г., с.370)